Name: IXTH30N60L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTH30N60L2-ND
Price: 20.2 USD
Availability: OutOfStock

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IXTH30N60L2
N.º de producto de DigiKey	238-IXTH30N60L2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTH30N60L2
Descripción	MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) TO-247 (IXTH)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IXTH30N60L2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Linear L2™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	240mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	335 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	540W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXTH30

IXTH30N60L2