IXTH50N30 IXYS | Productos semiconductores discretos

IXTH50N30 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXTH50N30
N.º de producto de DigiKey	IXTH50N30-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTH50N30
Descripción	MOSFET N-CH 300V 50A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 300 V 50A (Tc) 400W (Tc) TO-247 (IXTH)

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	65mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4400 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	400W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXTH50