IXTH60N20L2 IXYS | Productos de semiconductores discretos

IXTH60N20L2 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Microchip Technology

En stock: 0

Precio por unidad : $12.23000

Similar

Microchip Technology

En stock: 0

Precio por unidad : $10.77000

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $3.58000

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $5.05000

Similar

STMicroelectronics

En stock: 0

Precio por unidad : $5.14000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXTH60N20L2
Número de pieza de DigiKey	238-IXTH60N20L2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTH60N20L2
Descripción	MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) TO-247 (IXTH)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Linear L2™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	45mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	255 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	540W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXTH60