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IXTH62N65X2 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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IXTH62N65X2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IXTH62N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTH62N65X2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 62A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 32 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 62A (Tc) 780W (Tc) TO-247 (IXTH) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 52mOhm a 31A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 4mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 104 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 5940 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 780W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $8.17000 | $8.17 |
| 30 | $6.73200 | $201.96 |
| 120 | $6.53375 | $784.05 |
| 510 | $6.25337 | $3,189.22 |
México