IXTH67N10 IXYS | Productos semiconductores discretos

IXTH67N10 es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

Similar

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $4.18000

Similar

Infineon Technologies

En stock: 36

Precio por unidad : $2.22000

Similar

Littelfuse Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $8.29000

Similar

Littelfuse Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $3.53627

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXTH67N10
N.º de producto de DigiKey	IXTH67N10-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTH67N10
Descripción	MOSFET N-CH 100V 67A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) TO-247 (IXTH)

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	MegaMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	67A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 33.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXTH67