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Canal N Orificio pasante 100 V 75A (Tc) 300W (Tc) TO-247 (IXTH)
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXTH75N10

Número de pieza de DigiKey
IXTH75N10-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXTH75N10
Descripción
MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 100 V 75A (Tc) 300W (Tc) TO-247 (IXTH)
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
MegaMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
20mOhm a 37.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4500 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
IXTH75
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Disponible para órdenes
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
300$16.87500$5,062.50
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.