IXTK128N15 IXYS | Productos semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXTK128N15
N.º de producto de DigiKey	IXTK128N15-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTK128N15
Descripción	MOSFET N-CH 150V 128A TO264
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 150 V 128A (Tc) 540W (Tc) TO-264 (IXTK)

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	MegaMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	128A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	540W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-264 (IXTK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base	IXTK128