IXTQ200N06P IXYS | Productos de semiconductores discretos

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IXTQ200N06P
Número de pieza de DigiKey	IXTQ200N06P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTQ200N06P
Descripción	MOSFET N-CH 60V 200A TO3P
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 200A (Tc) 714W (Tc) TO-3P

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Polar
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5mOhm a 400A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5400 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	714W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base	IXTQ200