IXTQ88N30P IXYS | Productos de semiconductores discretos

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IXTQ88N30P
Número de pieza de DigiKey	238-IXTQ88N30P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTQ88N30P
Descripción	MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 300 V 88A (Tc) 600W (Tc) TO-3P
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Polar
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	88A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	40mOhm a 44A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6300 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base	IXTQ88