Name: IXTT110N10L2
Brand: IXYS
SKU: IXTT110N10L2-ND
Price: 17.18 USD
Availability: OutOfStock

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IXTT110N10L2
N.º de producto de DigiKey	IXTT110N10L2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTT110N10L2
Descripción	MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Plazo estándar del fabricante	37 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) TO-268AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Linear L2™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	110A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 55A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
Número de producto base	IXTT110

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$17.18000	$17.18
30	$15.60633	$468.19
120	$15.60158	$1,872.19

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