IXTT20P50P IXYS | Productos de semiconductores discretos

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IXTT20P50P
Número de pieza de DigiKey	238-IXTT20P50P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTT20P50P
Descripción	MOSFET P-CH 500V 20A TO268
Plazo estándar del fabricante	37 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 500 V 20A (Tc) 460W (Tc) TO-268AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IXTT20P50P Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	PolarP™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	450mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5120 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	460W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
Número de producto base	IXTT20