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IXTX200N10L2 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IXTX200N10L2 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 238-IXTX200N10L2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTX200N10L2 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 38 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) PLUS247™-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 11mOhm a 100A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 3mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 540 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 23000 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1040W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $34.24000 | $34.24 |
| 30 | $22.55933 | $676.78 |
| 120 | $22.29633 | $2,675.56 |
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