Name: IXTY01N100D-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY01N100D-TRLTR-ND
Price: 4.91 USD
Availability: OutOfStock

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IXTY01N100D-TRL
N.º de producto de DigiKey	238-IXTY01N100D-TRLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 238-IXTY01N100D-TRLCT-ND - Cinta cortada (CT) 238-IXTY01N100D-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTY01N100D-TRL
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Plazo estándar del fabricante	50 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Depletion
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	400mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80Ohm a 50mA, 0V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	100 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IXTY01