IXTY1N80 IXYS | Productos semiconductores discretos

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IXTY1N80
N.º de producto de DigiKey	IXTY1N80-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTY1N80
Descripción	MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 750mA (Tc) 40W (Tc) TO-252AA

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Caja
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	750mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	220 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IXTY1