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STMicroelectronics
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Precio por unidad : $1.30000
Hoja de datos
Canal N Montaje en superficie 800 V 1A (Tc) 42W (Tc) TO-252AA
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Canal N Montaje en superficie 800 V 1A (Tc) 42W (Tc) TO-252AA
TO-252AA

IXTY1N80P

Número de pieza de DigiKey
IXTY1N80P-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IXTY1N80P
Descripción
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Plazo estándar del fabricante
50 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 800 V 1A (Tc) 42W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
14Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
250 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
350$1.39617$488.66
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.