Name: IXTY1R6N100D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND
Price: 1.65275 USD
Availability: OutOfStock

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IXTY1R6N100D2-TRL
N.º de producto de DigiKey	238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTY1R6N100D2-TRL
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Plazo estándar del fabricante	50 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 1000 V 1.6 A (Tj) 100W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Depletion
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.6 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10Ohm a 800mA, 0V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	645 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IXTY1