Name: IXTY8N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXTY8N65X2-ND
Price: 3.53 USD
Availability: OutOfStock

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IXTY8N65X2
N.º de producto de DigiKey	IXTY8N65X2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTY8N65X2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Plazo estándar del fabricante	41 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Ultra X2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	500mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IXTY8

IXTY8N65X2