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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IXFN110N85X | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IXFN110N85X-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXFN110N85X |
Descripción | MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B |
Plazo estándar del fabricante | 41 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje de chasis 850 V 110A (Tc) 1170W (Tc) SOT-227B |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 850 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 33mOhm a 55A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.5V a 8mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 425 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 17000 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1170W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $72.68000 | $72.68 |
| 10 | $63.78800 | $637.88 |
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