TO-263AB
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IXTA2N100P

N.º de producto de DigiKey
IXTA2N100P-ND
Fabricante
Littelfuse Inc.
Número de pieza del fabricante
IXTA2N100P
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Plazo estándar del fabricante
50 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) TO-263AA
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Littelfuse Inc.
Serie
Polar
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
7.5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
655 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263AA
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
IXTA2
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Disponible para órdenes
Stock de fábrica: 1,200
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
300$1.77240$531.72
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