Name: IXTY1R6N50D2-TRL
Brand: Littelfuse Inc.
SKU: 5656-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND
Price: 4.63 USD
Availability: InStock

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IXTY1R6N50D2-TRL
N.º de producto de DigiKey	5656-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5656-IXTY1R6N50D2-TRLCT-ND - Cinta cortada (CT) 5656-IXTY1R6N50D2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Littelfuse Inc.
Número de pieza del fabricante	IXTY1R6N50D2-TRL
Descripción	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	50 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 500 V 1.6 A (Tj) 100W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Littelfuse Inc.
Serie	Depletion
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.6 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.3Ohm a 800mA, 0V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	645 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IXTY1