


IXTY2N100P | |
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N.º de producto de DigiKey | IXTY2N100P-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTY2N100P |
Descripción | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 |
Plazo estándar del fabricante | 50 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 7.5Ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 100µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 24.3 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 655 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 86W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $3.79000 | $3.79 |
70 | $1.85643 | $129.95 |
140 | $1.77993 | $249.19 |
560 | $1.67243 | $936.56 |
1,050 | $1.56870 | $1,647.13 |
2,030 | $1.54488 | $3,136.11 |