APT11N80BC3G Microchip Technology | Productos de semiconductores discretos

APT11N80BC3G es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

APT11N80BC3G
Número de pieza de DigiKey	APT11N80BC3G-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de pieza del fabricante	APT11N80BC3G
Descripción	MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) TO-247 [B]
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Microchip Technology
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	450mOhm a 7.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.9V a 680µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1585 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 [B]
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	APT11N80