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Canal N Orificio pasante 500 V 30A (Tc) 415W (Tc) TO-247 [B]
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

APT30F50B

Número de pieza de DigiKey
APT30F50B-ND
Fabricante
Microchip Technology
Número de pieza del fabricante
APT30F50B
Descripción
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Plazo estándar del fabricante
26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 500 V 30A (Tc) 415W (Tc) TO-247 [B]
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 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Microchip Technology
Serie
POWER MOS 8™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
190mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4525 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
415W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247 [B]
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
APT30F50
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