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APT34F100B2

N.º de producto de DigiKey
APT34F100B2-ND
Fabricante
Microchip Technology
Número de pieza del fabricante
APT34F100B2
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Plazo estándar del fabricante
26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1000 V 35A (Tc) 1135W (Tc) T-MAX™ [B2]
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Microchip Technology
Serie
POWER MOS 8™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
380mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
9835 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3 variante
Número de producto base
APT34F100
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
30$21.39000$641.70
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.