Canal N Orificio pasante 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) TO-247 [B]
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APT47N65BC3G

Número de pieza de DigiKey
150-APT47N65BC3G-ND
Fabricante
Microsemi Corporation
Número de pieza del fabricante
APT47N65BC3G
Descripción
MOSFET N-CH 650V 47A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) TO-247 [B]
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Microsemi Corporation
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
47A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
70mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.9V a 2.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
7015 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247 [B]
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
APT47N65
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