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APT56F60B2

N.º de producto de DigiKey
APT56F60B2-ND
Fabricante
Microchip Technology
Número de pieza del fabricante
APT56F60B2
Descripción
MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX
Plazo estándar del fabricante
26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 60A (Tc) 1040W (Tc) T-MAX™ [B2]
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Microchip Technology
Serie
POWER MOS 8™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
110mOhm a 28A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
11300 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1040W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3 variante
Número de producto base
APT56F60
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