Name: MSC017SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC017SMA120B4-ND
Price: 47.95 USD
Availability: OutOfStock

MSC017SMA120B4 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

GeneSiC Semiconductor

En stock: 0

Precio por unidad : $36.09000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

MSC017SMA120B4
N.º de producto de DigiKey	150-MSC017SMA120B4-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de pieza del fabricante	MSC017SMA120B4
Descripción	MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Plazo estándar del fabricante	4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 113 A (Tc) 455W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	MSC017SMA120B4 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Microchip Technology
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	113 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 40A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	2.7V a 4.5mA (típico)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	249 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5280 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	455W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4
Número de producto base	MSC017SMA