Name: TN0110N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TN0110N3-G-ND
Price: 1.26 USD
Availability: OutOfStock

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TN0110N3-G
N.º de producto de DigiKey	TN0110N3-G-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de pieza del fabricante	TN0110N3-G
Descripción	MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Plazo estándar del fabricante	7 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 350mA (Tj) 1W (Tc) TO-92-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TN0110N3-G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Microchip Technology
Serie	-
Embalaje	Bolsa
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	350mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 500µA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	60 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base	TN0110