Name: BSH108,215
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-4925-2-ND
Price: 0.49 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

BSH108,215
N.º de producto de DigiKey	1727-4925-2-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-4925-1-ND - Cinta cortada (CT) 1727-4925-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	BSH108,215
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 1.9A (Tc) 830mW (Tc) TO-236AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSH108,215 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	120mOhm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	190 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	830mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	BSH108

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3,000	$0.08670	$260.10
6,000	$0.08500	$510.00

BSH108,215