Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 6.75 USD
Availability: OutOfStock

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GAN080-650EBEZ
N.º de producto de DigiKey	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GAN080-650EBEZ
Descripción	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Plazo estándar del fabricante	4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 650 V 29 A (Tc) 240W (Tc) DFN8080-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 8A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 30.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	225 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN8080-8
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-VDFN
Número de producto base	GAN080