PMV50XNEAR Nexperia USA Inc. | Productos de semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

PMV50XNEAR
Número de pieza de DigiKey	1727-PMV50XNEARTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PMV50XNEARCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PMV50XNEARDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMV50XNEAR
Descripción	PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 3.4A (Ta) 590mW (Ta), 5.6W (Tc) TO-236AB
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	57mOhm a 3.4A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id	1.25V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	296 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	PMV50