Name: PSMN1R2-55SLHX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-55SLHXTR-ND
Price: 7.15 USD
Availability: OutOfStock

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PSMN1R2-55SLHX
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R2-55SLHXTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R2-55SLHXCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R2-55SLHXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R2-55SLHX
Descripción	N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 330A (Tc) 375W (Tc) LFPAK88 (SOT1235)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	330A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.03mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	395 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	25773 pF @ 27 V
Característica de FET	Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK88 (SOT1235)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1235