Name: PSMN1R3-80SSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R3-80SSFJTR-ND
Price: 6.57 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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PSMN1R3-80SSFJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R3-80SSFJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R3-80SSFJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R3-80SSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R3-80SSFJ
Descripción	NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 335A (Tc) 341W (Tc) LFPAK88 (SOT1235)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	335A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	246 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	16647 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	341W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK88 (SOT1235)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1235