Name: PSMN3R2-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R2-40YLDXTR-ND
Price: 0.95 USD
Availability: OutOfStock

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PSMN3R2-40YLDX
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN3R2-40YLDXTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN3R2-40YLDXCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN3R2-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN3R2-40YLDX
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 120 A (Tc) 115W (Tc) LFPAK56, Power-SO8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.3mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.05V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4103 pF @ 20 V
Característica de FET	Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)	115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja (carcasa)	SC-100, SOT-669
Número de producto base	PSMN3R2