N3T080MP120D
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N3T080MP120D
N3T080MP120D

N3T035MP120D

N.º de producto de DigiKey
5140-N3T035MP120D-ND
Fabricante
NoMIS Power
Número de pieza del fabricante
N3T035MP120D
Descripción
1200 V, 35 m SiC MOSFET, TO-247-
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 76A 319W (Tc) TO-247-3L
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
NoMIS Power
Serie
1200
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
76A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
45mOhm a 30A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 15mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
126 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2204 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
319W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3L
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
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