NC1M120C12WDCU
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NC1M120C12WDCU

N.º de producto de DigiKey
3372-NC1M120C12WDCU-ND
Fabricante
NovuSem
Número de pieza del fabricante
NC1M120C12WDCU
Descripción
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Referencia del cliente
Descripción detallada
Montaje en superficie 1200 V 214A (Tc) Malla reticular
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
NovuSem
Serie
NC1M
Embalaje
Bandeja
Estado de pieza
Activo
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
214A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
12mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 40mA
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
8330 pF @ 1000 V
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
Malla reticular
Paquete / Caja (carcasa)
Molde
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