ATP216-TL-H onsemi | Productos semiconductores discretos

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ATP216-TL-H
N.º de producto de DigiKey	ATP216-TL-H-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	ATP216-TL-H
Descripción	MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 50 V 35 A (Ta) 40W (Tc) ATPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ATP216-TL-H Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	50 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	23mOhm a 18A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	ATPAK
Paquete / Caja (carcasa)	ATPAK (2 conductores+pestaña)
Número de producto base	ATP216