BS170-D75Z onsemi | Productos semiconductores discretos

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BS170-D75Z
N.º de producto de DigiKey	BS170-D75ZCT-ND - Cinta cortada (CT) BS170-D75ZTB-ND - Cinta y caja
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	BS170-D75Z
Descripción	MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) TO-92-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta cortada (CT) Cinta y caja
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	500mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5Ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 1mA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	40 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores formados TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base	BS170