BVSS123LT1G onsemi | Productos semiconductores discretos

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BVSS123LT1G
N.º de producto de DigiKey	BVSS123LT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) BVSS123LT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) BVSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	BVSS123LT1G
Descripción	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BVSS123LT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	170mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 1mA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	20 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	225mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	BVSS123