Name: FCB070N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCB070N65S3TR-ND
Price: 6.36 USD
Availability: OutOfStock

FCB070N65S3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Littelfuse Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $3.53627

Similar

STMicroelectronics

En stock: 0

Precio por unidad : $6.36000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FCB070N65S3
N.º de producto de DigiKey	FCB070N65S3TR-ND - Cinta y rollo (TR) FCB070N65S3CT-ND - Cinta cortada (CT) FCB070N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCB070N65S3
Descripción	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	SuperFET® III
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	44A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	70mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 4.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3090 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FCB070