Name: FCB110N65F
Brand: onsemi
SKU: FCB110N65FTR-ND
Price: 5.13 USD
Availability: OutOfStock

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FCB110N65F
N.º de producto de DigiKey	FCB110N65FTR-ND - Cinta y rollo (TR) FCB110N65FCT-ND - Cinta cortada (CT) FCB110N65FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCB110N65F
Descripción	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FCB110N65F Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	FRFET®, SuperFET® II
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	110mOhm a 17.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 3.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4895 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	357W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FCB110