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FCH165N65S3R0-F155
onsemi
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Canal N Orificio pasante 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) TO-220-3
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FCP165N65S3

Número de pieza de DigiKey
FCP165N65S3OS-ND
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
FCP165N65S3
Descripción
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Plazo estándar del fabricante
17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
FCP165N65S3 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
SuperFET® III
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
19A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
165mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 1.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1500 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
154W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
FCP165
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Disponible para órdenes
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$4.12000$4.12
50$2.29000$114.50
100$2.19300$219.30
500$1.93610$968.05
1,000$1.80700$1,807.00
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.