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TO-220F-3
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FCPF11N65

N.º de producto de DigiKey
FCPF11N65-ND
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
FCPF11N65
Descripción
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 11A (Tc) 36W (Tc) TO-220F-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
FCPF11N65 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
SuperFET™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
11A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
380mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
52 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1490 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
FCPF11
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Disponible para órdenes
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