FDB045AN08A0-F085 onsemi | Productos semiconductores discretos

FDB045AN08A0-F085
N.º de producto de DigiKey	FDB045AN08A0-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB045AN08A0-F085CT-ND - Cinta cortada (CT) FDB045AN08A0-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB045AN08A0-F085
Descripción	MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 75 V 19 A (Ta) 310W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	75 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.5mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6600 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB045