Name: FDB120N10
Brand: onsemi
SKU: FDB120N10TR-ND
Price: 3.17 USD
Availability: OutOfStock

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FDB120N10
N.º de producto de DigiKey	FDB120N10TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB120N10CT-ND - Cinta cortada (CT) FDB120N10DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB120N10
Descripción	MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 74A (Tc) 170W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	74A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12mOhm a 74A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5605 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB120

FDB120N10