Name: FDB28N30TM
Brand: onsemi
SKU: FDB28N30TMTR-ND
Price: 2.09 USD
Availability: OutOfStock

FDB28N30TM está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $2.18000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDB28N30TM
N.º de producto de DigiKey	FDB28N30TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB28N30TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FDB28N30TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB28N30TM
Descripción	MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 300 V 28A (Tc) 250W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	UniFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	28A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	129mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2250 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB28N30