FDC855N onsemi | Productos de semiconductores discretos

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FDC855N
Número de pieza de DigiKey	FDC855NTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDC855NCT-ND - Cinta cortada (CT) FDC855NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDC855N
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 6.1 A (Ta) 1.6W (Ta) SuperSOT™-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDC855N Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	27mOhm a 6.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	655 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SuperSOT™-6
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	FDC855