Name: FDD10AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD10AN06A0TR-ND
Price: 2.32 USD
Availability: OutOfStock

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FDD10AN06A0
N.º de producto de DigiKey	FDD10AN06A0TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD10AN06A0CT-ND - Cinta cortada (CT) FDD10AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD10AN06A0
Descripción	MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD10AN06A0 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10.5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1840 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD10AN06

FDD10AN06A0