Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 1.17 USD
Availability: OutOfStock

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FDD1600N10ALZ
N.º de producto de DigiKey	FDD1600N10ALZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD1600N10ALZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD1600N10ALZ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD1600N10ALZ Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	160mOhm a 3.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	225 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	14.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD1600

FDD1600N10ALZ