Name: FDD3670
Brand: onsemi
SKU: FDD3670TR-ND
Price: 1.68 USD
Availability: OutOfStock

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FDD3670
N.º de producto de DigiKey	FDD3670TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD3670CT-ND - Cinta cortada (CT) FDD3670DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD3670
Descripción	MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 34 A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	34 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	32mOhm a 7.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2490 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD367

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.67228	$1,680.70
5,000	$0.64974	$3,248.70

FDD3670